आण्विक बीम एपिटॅक्सी उच्च व्हॅक्यूम किंवा अल्ट्रा-हाय व्हॅक्यूम (1 x 10) मध्ये चालते^-8पा) वातावरण. आण्विक बीम एपिटॅक्सीचा सर्वात महत्वाचा पैलू म्हणजे त्याचा कमी जमा होण्याचा दर, जे सहसा फिल्मला प्रति तास 3000 एनएम पेक्षा कमी वेगाने एपिटॅक्सियल वाढू देते. अशा कमी डिपॉझिशन रेटला इतर डिपॉझिशन पद्धतींप्रमाणेच स्वच्छतेची पातळी प्राप्त करण्यासाठी पुरेशी उच्च व्हॅक्यूम आवश्यक आहे.

वर वर्णन केलेल्या अल्ट्रा-हाय व्हॅक्यूमची पूर्तता करण्यासाठी, MBE यंत्र (Knudsen cell) मध्ये एक थंड थर असतो आणि ग्रोथ चेंबरचे अल्ट्रा-हाय व्हॅक्यूम वातावरण द्रव नायट्रोजन अभिसरण प्रणाली वापरून राखले जाणे आवश्यक आहे. द्रव नायट्रोजन उपकरणाचे अंतर्गत तापमान 77 केल्विन (−196 °C) पर्यंत थंड करते. कमी तापमान वातावरणामुळे व्हॅक्यूममधील अशुद्धतेची सामग्री आणखी कमी होऊ शकते आणि पातळ फिल्म्स जमा होण्यासाठी चांगली परिस्थिती निर्माण होऊ शकते. म्हणून, MBE उपकरणांसाठी -196 °C द्रव नायट्रोजनचा सतत आणि स्थिर पुरवठा करण्यासाठी समर्पित द्रव नायट्रोजन कूलिंग अभिसरण प्रणाली आवश्यक आहे.