आण्विक बीम एपिटॅक्सी उच्च व्हॅक्यूम किंवा अल्ट्रा-हाय व्हॅक्यूममध्ये (१ x १०) केली गेली.^-8पा) वातावरण. आण्विक बीम एपिटॅक्सीचा सर्वात महत्त्वाचा पैलू म्हणजे त्याचा कमी निक्षेपण दर, जो सामान्यतः फिल्मला प्रति तास 3000 nm पेक्षा कमी दराने एपिटॅक्सियल वाढण्यास अनुमती देतो. अशा कमी निक्षेपण दरासाठी इतर निक्षेपण पद्धतींप्रमाणेच स्वच्छता प्राप्त करण्यासाठी पुरेसा उच्च व्हॅक्यूम आवश्यक असतो.

वर वर्णन केलेल्या अति-उच्च व्हॅक्यूमची पूर्तता करण्यासाठी, MBE उपकरण (Knudsen सेल) मध्ये एक थंड थर असतो आणि ग्रोथ चेंबरचे अति-उच्च व्हॅक्यूम वातावरण द्रव नायट्रोजन परिसंचरण प्रणाली वापरून राखले पाहिजे. द्रव नायट्रोजन उपकरणाचे अंतर्गत तापमान ७७ केल्विन (−१९६ °C) पर्यंत थंड करते. कमी तापमानाचे वातावरण व्हॅक्यूममधील अशुद्धतेचे प्रमाण आणखी कमी करू शकते आणि पातळ फिल्म्स जमा करण्यासाठी चांगल्या परिस्थिती प्रदान करू शकते. म्हणून, -१९६ °C द्रव नायट्रोजनचा सतत आणि स्थिर पुरवठा करण्यासाठी MBE उपकरणांसाठी एक समर्पित द्रव नायट्रोजन शीतकरण परिसंचरण प्रणाली आवश्यक आहे.